型号：HPPD系列
更新时间：2024-09-23 | 阅读：2960
详情介绍
【产品简介】
HPPD系列非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。
【HPPD系列非制冷型光电探测器·产品特点】
l兼容Si(硅）、InGaAs(铟镓砷）、碲镉汞等半导体光电二极管
l波长覆盖0.4um至2.6um（近红外）波段
l含低噪声、宽带宽的前置运放
l±12VDC电源输入，0至10V电压信号输出
l兼容Thorlabs®标准SM1（1.035″-40）螺纹
【产品参数】
探测器材料 | 铟镓砷、硅、碲镉汞 |
响应波长范围 | 0.4 - 12um |
输出电压 | ±12V(Hi-Z负载)； |
供电电压 | ±12VDC(电源适配器)； |
信号输出接口 | SMA |
工作温度范围 | 10 - 40℃ |
储存温度范围 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 56×54.5×20.5mm3 |
重量 | ＜100g |
信号带宽 | DC - 1MHz |
跨阻增益 | 15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载） |
HPP
【型号规格】
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① =A | 不集成TEC驱动 |
② =D | 直流耦合输出 |
③ =S；I；H；A | 代表探测器材质；S=硅探测器；I代表铟镓砷探测器；H代表碲镉汞探测器；A代表铟砷锑探测器 |
④ =01；02；03；04依次类推 | 探测截止波长; 01表示截止波长为1um，02表示截止波长为2um，03表示截止波长为3um，依次类推。客户采购前需咨询。 |
⑤ =02,05,10,... | 感光面积；02表示感光面积为0.2mm2,05表示感光面积为0.5mm2。客户采购前需咨询。 |
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益，默认15K不标识。客户采购前需咨询。 |
例如：
HPPD-A-D-S-02-10-10K
该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器
结构尺寸（单位：mm）
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